ハイブリッドSiCモジュール
1MSI1200XAGF330-03
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状態：開発中
パワーモジュール(SiCデバイス)
3300V, 1200A, ハイブリッドSiCモジュール
特徴
- 高性能チップ適用
- Si-IGBTモジュール製品とパッケージ互換
- 低損失化
- 低インダクタンス化
用途
- インバータ
- サーボアンプ
- UPS
仕様
| 構成 | 1-Pack |
|---|---|
| VCES(V) 詳細 | 3300 |
| IC(A) 詳細 | 1200 |
| パッケージ | M155 |
| サイズ幅(mm) | 140 |
| サイズ長さ(mm) | 130 |
| 質量(g) | 900 |
ドキュメント・ツール
| 製品紹介 | SiC-SBD搭載 ハイブリッドSiCモジュール |
|---|---|
| アプリケーションマニュアル | SiCデバイスアプリケーションマニュアル |
| セレクションガイド | IGBT/SiCセレクションガイド |
| シミュレーション |
損失シミュレーション：Fuji IGBTシミュレータ 損失シミュレーション：Fuji IGBT シミュレータ（オンライン版） |
