All-SiCモジュール
2CSI300DAHE120-50
-
状態：供給
パワーモジュール(SiCデバイス)
1200V, 300A, All-SiCモジュール
特徴
- 最新世代トレンチゲートMOSFET
- Si-IGBTモジュール製品とパッケージ互換
- 低損失化
- 低インダクタンス化
用途
- インバータ
- サーボアンプ
- UPS
仕様
| 構成 | 2-Pack |
|---|---|
| VDSS(V) | 1200 |
| ID(A) | 300 |
| パッケージ | M295 |
| サイズ幅(mm) | 62 |
| サイズ長さ(mm) | 108 |
| 質量(g) | 370 |
ドキュメント・ツール
| アプリケーションマニュアル | SiCデバイスアプリケーションマニュアル |
|---|---|
| セレクションガイド | IGBT/SiCセレクションガイド |
| シミュレーション |
損失シミュレーション：Fuji IGBTシミュレータ 損失シミュレーション：Fuji IGBT シミュレータ（オンライン版） |
