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All-SiCモジュール

2CSI300DAHE120-50

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  • icon_All-SiC

  • 状態:開発中

パワーモジュール(SiCデバイス)
1200V, 300A, All-SiCモジュール

特徴

  • 最新世代トレンチゲートMOSFET
  • Si-IGBTモジュール製品とパッケージ互換
  • 低損失化
  • 低インダクタンス化

用途

  • インバータ
  • サーボアンプ
  • UPS

仕様

構成 2-Pack
VDSS(V) 1200
ID(A) 300
パッケージ M295
サイズ幅(mm) 62
サイズ長さ(mm) 108
質量(g) 370

ドキュメント・ツール

アプリケーションマニュアル SiCデバイスアプリケーションマニュアル
セレクションガイド IGBT/SiCセレクションガイド
シミュレーション 損失シミュレーション:Fuji IGBTシミュレータ
損失シミュレーション:Fuji IGBT シミュレータ(オンライン版)

外観

M295

回路図

外形図

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