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ハイブリッドSiCモジュール

2MSI200VAB-120-53

  • icon_RoHS

  • icon_Hybrid-SiC

  • 状態:供給

パワーモジュール(SiCデバイス)
1200V, 200A, ハイブリッドSiCモジュール

特徴

  • 高性能チップ適用
  • Si-IGBTモジュール製品とパッケージ互換
  • 低損失化
  • 低インダクタンス化

用途

  • インバータ
  • サーボアンプ
  • UPS

仕様

構成 2-Pack
VCES(V) 1200
IC(A) 200
Tvj(max)(℃) 175
Tvj(op)(℃) 150
Tc(℃) 125
Tstg(℃) -40 〜 125
パッケージ M274
サイズ幅(mm) 45
サイズ長さ(mm) 92
質量(g) 240

ドキュメント・ツール

製品紹介 SiC-SBD搭載 ハイブリッドSiCモジュール
アプリケーションマニュアル SiCデバイスアプリケーションマニュアル
セレクションガイド IGBT/SiCセレクションガイド
シミュレーション 損失シミュレーション:Fuji IGBTシミュレータ
損失シミュレーション:Fuji IGBT シミュレータ(オンライン版)

外観

M274

回路図

外形図

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