ハイブリッドSiCモジュール
-
状態：供給
パワーモジュール(SiCデバイス)
1200V, 200A, ハイブリッドSiCモジュール
特徴
- 高性能チップ適用
- Si-IGBTモジュール製品とパッケージ互換
- 低損失化
- 低インダクタンス化
用途
- インバータ
- サーボアンプ
- UPS
仕様
| 構成 | 2-Pack |
|---|---|
| VCES(V) 詳細 | 1200 |
| IC(A) 詳細 | 200 |
| Tvj max(℃) 詳細 | 175 |
| Tvjop max(℃) 詳細 | 150 |
| TC(℃) 詳細 | 125 |
| Tstg(℃) 詳細 | -40 〜 125 |
| パッケージ | M276 |
| サイズ幅(mm) | 62 |
| サイズ長さ(mm) | 108 |
| 質量(g) | 370 |
ドキュメント・ツール
| 製品紹介 | SiC-SBD搭載 ハイブリッドSiCモジュール |
|---|---|
| アプリケーションマニュアル | SiCデバイスアプリケーションマニュアル |
| セレクションガイド | IGBT/SiCセレクションガイド |
| シミュレーション |
損失シミュレーション：Fuji IGBTシミュレータ 損失シミュレーション：Fuji IGBT シミュレータ（オンライン版） |
