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ハイブリッドSiCモジュール

2MSI600VAN-120-53

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  • icon_Hybrid-SiC

  • 状態:供給

パワーモジュール(SiCデバイス)
1200V, 600A, ハイブリッドSiCモジュール

特徴

  • 高性能チップ適用
  • Si-IGBTモジュール製品とパッケージ互換
  • 低損失化
  • 低インダクタンス化

用途

  • インバータ
  • サーボアンプ
  • UPS

仕様

構成 2-Pack
VCES(V) 1200
IC(A) 600
Tvj(max)(℃) 175
Tvj(op)(℃) 150
Tc(℃) 125
Tstg(℃) -40 〜 125
パッケージ M254
サイズ幅(mm) 62
サイズ長さ(mm) 150
質量(g) 300

ドキュメント・ツール

製品紹介 SiC-SBD搭載 ハイブリッドSiCモジュール
アプリケーションマニュアル SiCデバイスアプリケーションマニュアル
セレクションガイド IGBT/SiCセレクションガイド
シミュレーション 損失シミュレーション:Fuji IGBTシミュレータ
損失シミュレーション:Fuji IGBT シミュレータ(オンライン版)

外観

M254

回路図

外形図

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