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型式
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データシート |
供給状態
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ICタイプ | 概要 | 備考 |
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| FA1B00N | 供給 | 力率改善制御IC | FA1B00Nは、臨界モードを採用した力率改善コンバータを構成するためのコントロールICです。高耐圧CMOSプロセスを採用し、低消費電力を実現しています。また、出力電圧検出部の異常時に動作を停止させるFBショート検出回路などを備えています。 | ||
| FA1B10N | 供給 | 力率改善制御IC | |||
| FA1B20N | 供給 | 力率改善制御IC | |||
| FA1A00N | 供給 | 力率改善制御IC | FA1A00Nは、臨界モードを採用した力率改善コンバータを構成するためのコントロールICです。高耐圧CMOSプロセスを採用し、低消費電力を実現しています。また、二重過電圧保護機能、出力短絡保護回路などを備えています。 | ||
| FA1A01N | 供給 | 力率改善制御IC | FA1A01Nは、臨界モードを採用した力率改善コンバータを構成するためのコントロールICです。高耐圧CMOSプロセスを採用し、低消費電力を実現しています。また、二重過電圧保護機能、出力短絡保護回路などを備えています。 | ||
| FA1A10N | 供給 | 力率改善制御IC | FA1A10Nは、臨界モードを採用した力率改善コンバータを構成するためのコントロールICです。高耐圧CMOSプロセスを採用し、低消費電力を実現しています。また、周波数低減機能、出力短絡保護回路などを備えています。 | ||
| FA1A11N | 供給 | 力率改善制御IC | FA1A11Nは、臨界モードを採用した力率改善コンバータを構成するためのコントロールICです。高耐圧CMOSプロセスを採用し、低消費電力を実現しています。また、周波数低減機能、出力短絡保護回路などを備えています。 | ||
| FA1A21N | 供給 | 力率改善制御IC | FA1A21は、臨界モードを採用した力率改善コンバータを構成するためのコントロールICです。高耐圧CMOSプロセスを採用し、低消費電力を実現しています。また、周波数低減機能、ソフトスタート機能、過負荷保護機能などを備えています。 | ||
| FA1A50N | 供給 | 力率改善制御IC | FA1A50Nは、臨界モードを採用した力率改善コンバータを構成するためのコントロールICです。高耐圧CMOSプロセスを採用し、低消費電力を実現しています。また、二重過電圧保護機能、FB短絡保護回路などを備えています。 | ||
| FA1A60N | 供給 | 力率改善制御IC | FA1A60Nは、臨界モードを採用した力率改善コンバータを構成するためのコントロールICです。高耐圧CMOSプロセスを採用し、低消費電力を実現しています。また、周波数低減機能、二重過電圧保護機能、FB短絡保護などを備えています。更に、外部信号による状態設定機能を内蔵しており、当社電流共振IC FA6B20Nと組み合わせる事により、電源効率の向上、入力電圧に応じた最適動作を実現します。 | ||
| FA1A61N | 供給 | 力率改善制御IC | FA1A61Nは、臨界モードを採用した力率改善コンバータを構成するためのコントロールICです。高耐圧CMOSプロセスを採用し、低消費電力を実現しています。また、周波数低減機能、二重過電圧保護機能などを備えています。更に、外部信号による状態設定機能を内蔵しており、当社電流共振IC FA6B21Nと組み合わせる事により、電源効率の向上、入力電圧に応じた最適動作を実現します。 | ||
| FA5502M | 供給 | 力率改善制御IC | FA5502M は、力率改善コンバータ用の制御IC です。高耐圧CMOS プロセスを採用し、低消費電力を実現しています。平均値電流制御方式を採用しているため、安定した動作が可能であり、99%以上の力率を容易に実現することができます。また、定格負荷から無負荷までの広範囲の負荷で直流出力電圧制御が可能です。 | ||
| FA5590N | 供給 | 力率改善制御IC | FA5590Nは、臨界モードを採用した力率改善コンバータを構成するためのコントロールICです。高耐圧CMOSプロセスを採用し、低消費電力を実現しています。また、出力電圧検出部の異常時に動作を停止させるFBショート検出回路などを備えています。 | ||
| FA5591N | 供給 | 力率改善制御IC | FA5591Nは、臨界モードを採用した力率改善コンバータを構成するためのコントロールICです。高耐圧CMOSプロセスを採用し、低消費電力を実現しています。また、出力電圧検出部の異常時に動作を停止させるFBショート検出回路などを備えています。 | ||
| FA5612N | 供給 | 力率改善制御IC | FA5612は、力率改善コンバータ用の制御ICです。高耐圧CMOSプロセスを採用し、低消費電力を実現しています。平均値電流制御方式を採用しているため、安定した動作が可能であり、99%以上の力率を容易に実現することができます。また、定格負荷から無負荷までの広範囲の負荷で直流出力電圧制御が可能です。さらに、独自のスイッチング周波数拡散機能を内蔵することによりラインフィルタの簡略化することが可能です。 | ||
| FA5613N | 供給 | 力率改善制御IC | FA5613は、力率改善コンバータ用の制御ICです。高耐圧CMOSプロセスを採用し、低消費電力を実現しています。平均値電流制御方式を採用しているため、安定した動作が可能であり、99%以上の力率を容易に実現することができます。また、定格負荷から無負荷までの広範囲の負荷で直流出力電圧制御が可能です。さらに、独自のスイッチング周波数拡散機能を内蔵することによりラインフィルタの簡略化することが可能です。 | ||
| FA5696N | 供給 | 力率改善制御IC | FA5696Nは、臨界モードを採用した力率改善コンバータを構成するためのコントロールICです。高耐圧CMOSプロセスを採用し、低消費電力を実現しています。また、二重過電圧保護機能、出力短絡保護回路などを備えています。 |
