搭载SiC-SBD的IGBT混合模块

2MSI200VWAH-120-53

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数据表

  • 状态：量产中

功率模块（SiC器件）
1200V, 200A, 搭载SiC-SBD的IGBT混合模块

特征

  • 使用高性能芯片
  • 与Si-IGBT模块产品的封装兼容
  • 低功耗化
  • 低电感化

用途

  • 变频器
  • NC、伺服系统
  • UPS

设计规范

结构 2-Pack
VCES(V) 细节 1200
IC(A) 细节 200
Tvj max(℃) 细节 175
Tvjop max(℃) 细节 150
TC(℃) 细节 125
Tstg(℃) 细节 -40 〜 125
封装 M276
尺寸宽度(mm) 62
尺寸长度(mm) 108
重量(g) 370

文档工具

数据表 2MSI200VWAH-120-53
产品信息 IGBT混合型SiC模块
应用手册 SiC器件应用手册
安装说明书 功率模块安装说明书
CAD数据 产品外形图 (3D-CAD)
选型手册 IGBT/SiC选型手册
损耗模拟 Fuji IGBT Simulator
Online Fuji IGBT Simulator （在线模拟软件）

外观

M276

电路图

外形图

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