SiC-SBD
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状态:量产中
 
SiC肖特基势垒二极管(2G系列)
650V, 8A
特征
- 低VF特性
 - 高浪涌耐量 (IFSM)
 - 高速开关特性
 
用途
- 开关电源
 - UPS
 - 太阳能
 
设计规范
| 接线 | 单 | 
|---|---|
| VRRM(V) 细节 | 650 | 
| IF(A) 细节 | 8 | 
| IFSM(A) 细节 | 68 | 
| Tvj max(℃) 细节 | 175 | 
| VF(V) 细节 | 1.3 | 
| IR(μA) 细节 | 50 | 
| 封装 | TO-220F-2 | 
文档工具
| 数据表 | FDC2AT08S65 | 
|---|---|
| 产品信息 | 第2代 SiC肖特基势垒二极管 | 
| 选型手册 | IGBT/SiC选型手册 | 



