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功率因数校正IC

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IC类別 概述 备注
FA1B00N 量产中 功率因数校正IC FA1B00N是一种控制IC,用于构成采用了临界模式的功率因数校正转换器。采用高耐压CMOS工艺,实现了低功耗。此外,还具备输出电压检测部异常时停止动作的FB短路检测电路等。
FA1B10N 量产中 功率因数校正IC
FA1B20N 量产中 功率因数校正IC
FA1A00N 量产中 功率因数校正IC FA1A00N是一种控制IC,用于构成采用了临界模式的功率因数校正转换器。采用高耐压CMOS工艺,实现了低功耗。此外,还具备双重过电压保护功能、输出短路保护电路等。
FA1A01N 量产中 功率因数校正IC FA1A01N是一种控制IC,用于构成采用了临界模式的功率因数校正转换器。采用高耐压CMOS工艺,实现了低功耗。此外,还具备双重过电压保护功能、输出短路保护电路等。
FA1A10N 量产中 功率因数校正IC FA1A10N是一种控制IC,用于构成采用了临界模式的功率因数校正转换器。采用高耐压CMOS工艺,实现了低功耗。此外,还具备频率降低功能、输出短路保护电路等。
FA1A11N 量产中 功率因数校正IC FA1A11N是一种控制IC,用于构成采用了临界模式的功率因数校正转换器。采用高耐压CMOS工艺,实现了低功耗。此外,还具备频率降低功能、输出短路保护电路等。
FA1A21N 量产中 功率因数校正IC FA1A21是一种控制IC,用于构成采用了临界模式的功率因数校正转换器。采用高耐压CMOS工艺,实现了低功耗。此外,还具备频率降低功能、软启动功能、过负载保护功能等。
FA1A50N 量产中 功率因数校正IC FA1A50N是一种控制IC,用于构成采用了临界模式的功率因数校正转换器。采用高耐压CMOS工艺,实现了低功耗。此外,还具备双重过电压保护功能、FB短路保护电路等。
FA1A60N 量产中 功率因数校正IC FA1A60N是一种控制IC,用于构成采用了临界模式的功率因数校正转换器。采用高耐压CMOS工艺,实现了低功耗。此外,还具备频率降低功能、双重过电压保护功能、FB短路保护等。而且内置基于外部信号的状态设定功能,可通过与本公司电流共振IC FA6B20N组合,提高电源效率,实现与输入电压对应的最佳动作。
FA1A61N 量产中 功率因数校正IC FA1A61N是一种控制IC,用于构成采用了临界模式的功率因数校正转换器。采用高耐压CMOS工艺,实现了低功耗。此外,还具备频率降低功能、双重过电压保护功能等。而且内置基于外部信号的状态设定功能,可通过与本公司电流共振IC FA6B21N组合,提高电源效率,实现与输入电压对应的最佳动作。
FA5502M 量产中 功率因数校正IC FA5502M 是用于功率因数校正转换器的控制IC。采用高耐压CMOS工艺,实现了低功耗。由于采用了平均值电流控制方式,因此可实施稳定的动作,轻松实现99%以上的功率因数。此外,可以在从额定负载到无负载的大范围负载下进行直流输出电压控制。
FA5590N 量产中 功率因数校正IC FA5590N是一种控制IC,用于构成采用了临界模式的功率因数校正转换器。采用高耐压CMOS工艺,实现了低功耗。此外,还具备输出电压检测部异常时停止动作的FB短路检测电路等。
FA5591N 量产中 功率因数校正IC FA5591N是一种控制IC,用于构成采用了临界模式的功率因数校正转换器。采用高耐压CMOS工艺,实现了低功耗。此外,还具备输出电压检测部异常时停止动作的FB短路检测电路等。
FA5612N 量产中 功率因数校正IC FA5612是用于功率因数校正转换器的控制IC。采用高耐压CMOS工艺,实现了低功耗。由于采用了平均值电流控制方式,因此可实施稳定的动作,轻松实现99%以上的功率因数。此外,可以在从额定负载到无负载的大范围负载下进行直流输出电压控制。而且,通过内置独创的开关频率扩散功能,还可以简化线路滤波器。
FA5613N 量产中 功率因数校正IC FA5613是用于功率因数校正转换器的控制IC。采用高耐压CMOS工艺,实现了低功耗。由于采用了平均值电流控制方式,因此可实施稳定的动作,轻松实现99%以上的功率因数。此外,可以在从额定负载到无负载的大范围负载下进行直流输出电压控制。而且,通过内置独创的开关频率扩散功能,还可以简化线路滤波器。
FA5696N 量产中 功率因数校正IC FA5696N是一种控制IC,用于构成采用了临界模式的功率因数校正转换器。采用高耐压CMOS工艺,实现了低功耗。此外,还具备双重过电压保护功能、输出短路保护电路等。

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